Poluvodički senzori tlaka mogu se podijeliti u dvije kategorije, jedna se temelji na načelu da se I-υ karakteristike poluvodičkog PN spoja (ili Schottkyjevog spoja) mijenjaju pod stresom.Performanse ovog elementa osjetljivog na pritisak vrlo su nestabilne i nisu uvelike razvijene.Drugi je senzor koji se temelji na poluvodičkom piezootpornom učinku, što je glavna vrsta poluvodičkih senzora tlaka.U ranim danima, poluvodički mjerači naprezanja uglavnom su bili pričvršćeni na elastične elemente za izradu raznih instrumenata za mjerenje naprezanja i deformacija.Šezdesetih godina prošlog stoljeća, s razvojem tehnologije poluvodičkih integriranih krugova, pojavio se poluvodički senzor tlaka s difuzijskim otpornikom kao piezorrezistivnim elementom.Ova vrsta senzora tlaka ima jednostavnu i pouzdanu strukturu, nema relativno pokretnih dijelova, a element osjetljiv na pritisak i elastični element senzora su integrirani, čime se izbjegava mehaničko kašnjenje i puzanje i poboljšava rad senzora.

Piezorezistivni učinak poluvodiča Poluvodič ima karakteristiku koja se odnosi na vanjsku silu, odnosno, otpornost (predstavljena simbolom ρ) mijenja se s naprezanjem koje nosi, što se naziva piezorezistivni učinak.Relativna promjena otpora pod djelovanjem jediničnog naprezanja naziva se piezootporni koeficijent koji se izražava simbolom π.Izraženo matematički kao ρ/ρ = π σ.

Gdje σ predstavlja naprezanje.Promjena vrijednosti otpora (R/R) uzrokovana otporom poluvodiča pod naprezanjem uglavnom je određena promjenom otpora, tako da se izraz piezorezistivnog učinka može također napisati kao R/R=πσ.

Pod djelovanjem vanjske sile u kristalima poluvodiča nastaju određena naprezanja (σ) i deformacije (ε), a međusobni odnos određen je Youngovim modulom (Y) materijala, odnosno Y=σ/ε.

Ako se piezootporni učinak izražava naprezanjem poluvodiča, to je R/R=Gε.

G se naziva faktor osjetljivosti senzora tlaka, koji predstavlja relativnu promjenu vrijednosti otpora pod jediničnim naprezanjem.

Piezorezistivni koeficijent ili faktor osjetljivosti osnovni je fizikalni parametar poluvodičkog piezorrezistivnog učinka.Odnos između njih, kao i odnos između naprezanja i deformacija, određen je Youngovim modulom materijala, odnosno g = π y.

Zbog anizotropije elastičnosti kristala poluvodiča, Youngov modul i koeficijent piezootpora mijenjaju se s orijentacijom kristala.Veličina piezorezistivnog učinka poluvodiča također je usko povezana s otpornošću poluvodiča.Što je manji otpor, manji je faktor osjetljivosti.Piezorezistivni učinak otpora difuziji određen je orijentacijom kristala i koncentracijom nečistoća otpora difuziji.Koncentracija nečistoća uglavnom se odnosi na površinsku koncentraciju nečistoća difuzijskog sloja.